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Vishay TI德州仪器 murata村田的高密度n沟道Trench

新 Vishay  TI德州仪器 murata村田Siliconix AEC-Q101-Qualified 40 V n沟道TrenchFET®功率MOSFET特征低导通电阻下降到1.1 mΩ和连续漏电流的200五D2PAK包装

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SQM200N04-1m1L

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莫尔文,Pa。- 2019年12月6日- Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH)今天推出了一款新的AEC-Q101-qualified, 40v n-channel TrenchFET®power MOSFET。专门为“重型”汽车应用,SQM200N04-1m1L是Vishay的第一个功率MOSFET利用低电阻贡献和非常高的电流额定值的7针D2PAK包。

当结合 Vishay  TI德州仪器 murata村田的高密度n沟道TrenchFET技术,结果是一个极低的导通电阻的1.1 mΩmax 10 V, 1.3 mΩ马克斯在4.5 V,允许设备传导损失最小化和操作在较低的温度。此外,200 a的连续漏电流可以持续,这使得工程师可以创建健壮的设计,为安全关键的应用程序提供额外的余量。

今天发布的SQM200N04-1m1L是针对大功率汽车电机驱动应用进行优化的,包括电力转向。该设备经过设计和100%的生产测试,能够承受100 A和500 mJ的单脉冲雪崩事件。它还具有0.4°C/W的低热阻(结壳),工作温度范围在- 55°C到+ 175°C之间。

SQM200N04-1m1L符合rohs,无卤,100% Rg和UIS测试。该设备扩展了Vishay的AEC-Q101合格TrenchFET power MOSFETs系列,更多信息请访问

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新的汽车动力MOSFET的样品和生产数量现在可以得到,大订单的交货时间为14到16周。

Vishay Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。Vishay的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。Vishay的网址是

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