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威世 力特 达尔 村田murta ti德州仪器今天发布的这

新威世Siliconix功率场效应管提供Industry-Low导通电阻降至43 mΩ在行业最小的4.5 V Chipscale微脚®0.8毫米,0.8毫米包

Si8806DB Si8812DB Si8817DB Si8489EDB微尺

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Si8806DB

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宾夕法尼亚州莫尔文——2019年11月29日,威世半导体有限公司(NYSE:太小)今天介绍新12 V和20 n沟道和p沟道TrenchFET®功率mosfet的导通电阻最低行业的行业最小的CSP形式因素:由0.4毫米0.8毫米0.8微脚®方案。

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今天发布的这些设备将用于智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用程序中的电池或负载切换。mosfts紧凑的外形节省了PCB的空间,并提供超薄的外形,使便携式电子产品更薄、更轻,而它们的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而降低了功耗,并延长了充电之间的电池寿命。该设备的低通电阻也意味着负载开关上的电压降更低,以防止不必要的欠压锁定。

在这种形式因素中,mosfet第一次建立在超高密度技术的基础上,该技术使用自校准工艺将10亿个晶体管电池封装到每平方英寸的硅中。当与microfoot的无封装CSP技术相结合时,这为给定的轮廓区域提供了尽可能低的on-resistance。

对于n沟道设备,结果是一个43 mΩ最大导通电阻在4.5 V 12 V Si8806DB门开。当需要20 V评级时,59 mΩSi8812DB提供了最大的导通电阻。n通道器件是高速开关应用的最佳选择,快速开关时间< 100 ns,如DC/DC升压变换器应用。

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对- 20v p通道Si8817DB和Si8489EDB的降压转换器应用进行了优化。与76年mΩ最大导通电阻在4.5 V开车门,小由0.4毫米0.8毫米0.8 Si8817DB将用于应用程序空间比导通电阻更关键的地方。1毫米的1毫米Si8489EDB时将使用较低的最大导通电阻的54 mΩ4.5 V更重要。

Si8489EDB是第一个p通道Gen III设备在1毫米乘1毫米的形式因素,并提供2500 V典型的ESD保护。此外,Si8817DB提供的on-resistance额定值可降至1.5 V,允许该设备与手持设备中常见的低压门驱动器和较低的总线电压一起工作,从而节省了换档电路的空间和成本。

该设备符合RoHS指令2011/65/EU和无卤根据JEDEC JS709A定义。

Si8806DB、Si8812DB、Si8817DB和Si8489EDB是对MICRO FOOT家族的最新扩展,可以在http://www.vishay.com/mosfets/micro- FOOT package/找到。

设备规格表:

第一部分:si8806db si8812db si8817db si8489edb

极性n n p p

VDS (V) 12 20 - 20 - 20

RDS(上)(mΩ)马克斯。@

10 v————44

4.5 v 43 59 76 54

3.7 v - 61 - -

2.5 v 50 65 100 82

1.8 v 65 85 145 -

1.5 v - - 320 -

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轮廓线(mm x mm) 0.8 x 0.8 x 0.8 x 0.8 x 0.8 x 0.8 x 0.8 1 x 1

剖面(mm) 0.4 0.4 0.4 0.548

新型TrenchFET power MOSFET的样品和生产数量现已上市,对于较大的订单,交货时间为12至14周。

Vishay Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。Vishay的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。

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