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威世发射- 20 V p沟道MOSFET在3.3毫米平方包Industry

威世发射- 20 V p沟道MOSFET在3.3毫米平方包Industry-Low导通电阻的4.8 mΩ4.5 V开车门

Si7655DN mosfet

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Si7655DN

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宾夕法尼亚州莫尔文——2019年11月26日,威世半导体有限公司(NYSE:太小)今天公布了Si7655DN,行业首个- 20 V p沟道MOSFET在3.3毫米3.3毫米包提供导通电阻的4.8 mΩ最大值4.5 V开车门。Si7655DN也是Vishay Siliconix PowerPAK®1212软件包新版本中发布的第一个设备,该软件包支持更低的rds (on)设备,同时提供0.75 mm的28%更薄的标准配置文件,并保持相同的PCB地面图案。

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Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载交换和热交换;充电器电路中的适配器、电池和负载开关;以及智能手机、平板电脑和其他移动计算设备的电源管理。Si7655DN还将用于冗余交换机、OR-ing和固定电信、移动电话基站和服务器/计算机系统中的监控应用。

利用新的PowerPAK 1212包版本和威世Siliconix领先的行业——p沟道的第三代技术,Si7655DN提供industry-low最大导通电阻的3.6 mΩ(- 10 V) 4.8 mΩ(- 4.5 V)和8.5 mΩ(- 2.5 V)这些规范代表17%的改善未来最好的竞争- 20 V或更好的设备。

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Si7655DN的低导通电阻将使设计人员在其电路中实现更低的电压降,并促进更有效地使用电力和更长的电池运行时间,而其3.3 mm×3.3 mm×0.75 mm PowerPAK 1212-8S封装将有助于节省宝贵的空间。

Si7655DN是Vishay公司TrenchFET Gen III p-channel mosfts系列的最新产品。更多关于p-channel TrenchFET Gen III家族的信息,请访问

新Si7655DN的样品和生产数量现在已经有了,大订单的交货时间为12到14周。

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Vishay Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。Vishay的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。

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