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Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田今天在

Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田 Intertechnology推出非对称双TrenchFET®Gen IV MOSFET紧凑型PowerPAIR®3mm * 3mm封装

下一代设备提高效率,最大rds (ON)降低57%

SiZ340DT场效电晶体

产品中提到:

SiZ340DT

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莫尔文,Pa。- 2019年1月16日- Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田 Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH)今天在PowerPAIR®3mm by 3mm封装中推出了一款新的30v非对称双TrenchFET®power MOSFET,采用TrenchFET Gen IV技术。提供57%的较低的导通电阻,更高的功率密度,25%和5%更高的效率比上一代设备在这个包大小,威世的Siliconix SiZ340DT有助于节省空间和简化高效同步降压转换器的设计结合高端和下部MOSFET在一个紧凑的包中。

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SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技术采用非常高密度的设计,在不显著增加栅极电荷的情况下,减少导通损耗,并减少总功率损耗,从而获得更高的功率输出。因此,下部通道2的MOSFET SiZ340DT提供了一个低导通电阻的5.1Ω10 V门驱动和7.0Ω4.5 V。高端通道1 MOSFET特征9.5Ω的导通电阻10 V,在4.5 V 13.7Ω。

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今天发布的设备针对“云计算”基础设施、服务器、电信设备以及各种客户端电子设备和移动计算中的同步buck设计进行了优化。预期的DC / DC块包括服务器、计算机、笔记本计算机、图形卡、游戏机、存储阵列、电信设备、DC / DC块和POL中的系统辅助电源轨道。SiZ340DT也可用于DC/DC转换电路,为FPGAs供电。

在这些应用中,该设备对通道1 MOSFET保持低栅电荷5.6 nC和通道2保持低栅电荷10.1 nC。由此产生的低导通电阻时间门电荷——在DC / DC变换器应用中mosfts的一个关键优点(FOM)——降低了传导和开关损耗,从而提高了系统的总效率。具有更高的效率,SiZ340DT可以运行30%的冷却器比前一代设备在相同的输出负载,或提供增加的功率密度。

为典型的DC / DC拓扑10到15输出电流和输出电压低于2 V,紧凑的3毫米×3毫米SiZ340DT节省多达77%的碳足迹区域PCB空间相比,使用离散的解决方案,比如PowerPAK®1212 - 8 MOSFET的高端和PowerPAK所以8偏低。减少开关损耗,该设备允许更高的开关频率超过450千赫,以缩小PCB尺寸,而不牺牲效率,通过启用更小的电感和电容。此外,通过提供比多个并行前代设备更高的性能,MOSFET可以潜在地减少总体组件数量和简化设计。

100% Rg和UIS测试,SiZ340DT是无卤的根据JEDEC JS709A定义和符合RoHS指令2011/65/欧盟。

设备规格表:

通道1 2

VDS (V

VGS (V) 20

RDS马克斯。

(mΩ)@ 10 v 9.5 5.1

4.5 v 13.7 7.0

Qg (Typ.) @ 4.5 V (nC) 5.6 10.1

ID (A) @ ta = 25°c 15.6 22.6

TA = 70°c 12.4 18.1

size 340dt的样品现在有了。生产数量将在2013年第四季度,大订单的交货时间为14至16周。

Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田 Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。Vishay威世 力特 达尔 TI德州仪器 murata村田的网址是

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