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Vishay威世 达尔 力特 murata 村田TI德州仪器Intertechnology的Si7655DN - 20v p通道MOSFET获得2013年EDN中国创新奖

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莫尔文,Pa。- 2019年12月16日- Vishay威世 达尔 力特 murata 村田TI德州仪器Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH)今天宣布,其Si7655DN - 20v p-channel Gen III power MOSFET获得2013年EDN中国创新奖。在11月12日于上海举行的颁奖典礼上,Si7655DN获得了电源设备和模块类别的最佳产品奖。

“EDN中国创新奖”于2005年设立,旨在表彰中国市场在集成电路及相关产品设计方面取得的成就。今年,来自82家公司的144种产品参加了9个技术类别的竞争。EDN中国的在线读者投票选出73款产品作为提名,由一群技术专家和资深EDN编辑选出最终的获胜者。

Si7655DN是行业首个-20 V p沟道MOSFET在3.3毫米3.3毫米包提供导通电阻的4.8 mΩ最大值4.5 V开车门。它也是第一个在Vishay威世 达尔 力特 murata 村田TI德州仪器Siliconix PowerPAK®1212软件包的新版本中发布的设备,该软件包支持较低的rds (on)设备,同时提供0.75 mm的28%更薄的标称配置文件,并保持相同的PCB地面图案。

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利用新的PowerPAK 1212包版本和威世Siliconix行业——大p沟道TrenchFET®的第三代技术,Si7655DN提供industry-low最大导通电阻的3.6 mΩ(-10 V), 4.8 mΩ(-4.5 V)和8.5 mΩ(-2.5 V)。这些规范是提高17%或更好的未来最好的-20 V设备竞争。Si7655DN的低导通电阻使设计人员能够在电路中实现更低的电压降,促进更有效地使用电力和更长的电池运行时间,同时其紧凑的封装有助于节省宝贵的空间。

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有关2013中国EDN创新奖所有获奖者的中文信息,请访问

Vishay威世 达尔 力特 murata 村田TI德州仪器Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。Vishay的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。Vishay的网址是

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