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威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器同时其紧凑

威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器 Intertechnology的- 20v P-Channel Gen III MOSFET是首款2.4 mm×2.0 mm×0.4 mm MICRO FOOT®封装尺寸的MOSFET

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为移动计算设备,节省空间的MOSFET提供低导通电阻下降到8.0 mΩ4.5 V

microfoot®包装尺寸

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Si8851EDB

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莫尔文,Pa。- - 威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器 Intertechnology, Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)今天扩大了其TrenchFET®p-channel Gen III power mosfts产品的供应范围,推出业内首款- 20v设备,尺寸为2.4 mm×2.0 mm×0.4 mm CSP MICRO FOOT®封装。旨在提高效率和节省空间的移动计算设备的威世Siliconix Si8851EDB提供极低的导通电阻的8.0 mΩ和11.0 mΩ-4.5 V和-2.5 V门口驱动器,分别。

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Si8851EDB的p通道Gen III技术,结合MICRO FOOT的无封装CSP技术和30针设计和布局,为给定的轮廓区域提供了尽可能低的on-resistance。与最接近的竞争对手2毫米x2毫米x0.8毫米的设备相比,Si8851EDB结合了50%更薄的外形和几乎一半的在4.5 V栅极驱动器的导通电阻,提供了37%的低导通电阻每包大小。Si8851EDB提供了类似于3.3 mm×3.3 mm×0.8 mm mosfet的导通电阻,它提供了56%的更小外形,并且至少比每个封装尺寸的导通电阻低30%。

凭借其0.4毫米的超薄外形,今天发布的这款设备针对平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用程序中的负载和电池开关进行了优化。Si8851EDB的低导通电阻允许设计者在电路中实现更低的电压降——促进更有效地使用电力和更长的电池运行时间——同时其紧凑的占地面积节省了宝贵的PCB空间。高典型的ESD保护到6kv有助于保护手持设备免受静电,同时确保在制造过程中安全的部件处理。根据JEDEC JS709A定义,MOSFET是无卤的,并且符合RoHS指令2011/65/EU。

Si8851EDB是威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器微足家族的最新产品,网址是http://www.威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器.com/mosfets/micro- FOOT package/。有关该公司p-channel Gen III MOSFETs系列的更多信息,请访问http://www.威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器.com/mosfets/geniii-p/。

Si8851EDB的样品和生产数量现在已经有了,大订单的交货时间为12到16周。

威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器 Intertechnology公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强企业,是世界上最大的分立半导体(二极管、mosfet和红外光电子器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件几乎用于所有类型的电子设备和设备,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源和医疗市场。威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器的产品创新、成功的收购策略和“一站式”服务使其成为全球行业领导者。威世 力特 达尔 murata村田 TI德州仪器的网址是

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