规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1.2 kV |
| Capacitance @ Vr, F | 481pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
BSDH10G120E2 邦士电子单二极管 - 规格参数与选型指南
BSDH10G120E2 是由 邦士电子 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIC 1200V 10A TO220-2。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
BSDH10G120E2 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（50 µA @ 1.2 kV）、Capacitance @ Vr, F（481pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2）、Supplier Device Package（TO-220-2） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 邦士电子：自1947年由Marlan和Rosemary Bourns创立以来，Bourns公司一直是电子行业在电子元件和集成解决方案的设计、制造和销售领域的领导者。作为行业创新者，Bourns将产品开发瞄准高增长行业，如计算机、电信、汽车和便携式电子产品。
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