规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gain | 19dB |
| Power - Max | 580mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-3-1 |
BFR193FH6327 英飞凌科技双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFR193FH6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。HIGH LINEARITY TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 8GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz、Gain: 19dB。
BFR193FH6327 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（580mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 30mA, 8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（80mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
BFR193FH6327 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 英飞凌科技 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供BFR193FH6327价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 BFR193FH6327 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是英飞凌科技代理商，专业供应BFR193FH6327等双极射频晶体管 产品。如您需要BFR193FH6327的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供BFR193FH6327现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
