
DP0150ADJ-7 德利通双极晶体管阵列
德利通 双极晶体管阵列 产品 DP0150ADJ-7
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如需获取DP0150ADJ-7的最新报价或技术支持,请联系我们的销售团队:0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
德利通 双极晶体管阵列 产品 DP0150ADJ-7产品描述
DP0150ADJ-7 是由 德利通 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
DP0150ADJ-7 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(120 @ 2mA, 6V)、Power - Max(300mW)、Frequency - Transition(80MHz)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通:**Diodes Incorporated(德利通):赋能未来,驱动创新**
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