规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A / 170mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 2W |
| Frequency - Transition | 100MHz, 120MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
安森美 双极晶体管阵列 产品 NJX1675PDR2G产品描述
NJX1675PDR2G 是由 安森美 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A / 170mV @ 200mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
NJX1675PDR2G 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（180 @ 1A, 2V）、Power - Max（2W）、Frequency - Transition（100MHz, 120MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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