PHPT610030PKX 恩智浦半导体双极晶体管阵列
恩智浦半导体 PHPT610030PKX 双极晶体管阵列
PHPT610030PKX是恩智浦半导体旗下的双极晶体管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供PHPT610030PKX现货库存与价格报价查询。我们可为您提供PHPT610030PKX datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 360mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 1.25W |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Supplier Device Package | LFPAK56D |
PHPT610030PKX 恩智浦半导体双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
PHPT610030PKX 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。PHPT610030PK - PNP/PNP HIGH POWE。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
PHPT610030PKX 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（150 @ 500mA, 10V）、Power - Max（1.25W）、Frequency - Transition（125MHz）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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