规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 510mW |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
PBSS4230PAN,115 恩智浦半导体双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
PBSS4230PAN,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。NOW NEXPERIA PBSS4230PAN - SMALL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Current - Collector (Ic) (Max): 2A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V。
PBSS4230PAN,115 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（510mW）、Frequency - Transition（120MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-UFDFN Exposed Pad） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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