JANSR2N3810U/TR 微芯科技双极晶体管阵列
微芯科技 JANSR2N3810U/TR 双极晶体管阵列
JANSR2N3810U/TR是微芯科技旗下的双极晶体管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供JANSR2N3810U/TR现货库存与价格报价查询。我们可为您提供JANSR2N3810U/TR datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 100µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 6-SMD |
JANSR2N3810U/TR 微芯科技双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
JANSR2N3810U/TR 是由 微芯科技 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANSISTOR DUAL RH SMALL-SIGNAL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 50mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA、Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)。
JANSR2N3810U/TR 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（150 @ 1mA, 5V）、Power - Max（350mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-SMD, No Lead） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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