JANTXV2N5794A 微芯科技双极晶体管阵列
微芯科技 JANTXV2N5794A 双极晶体管阵列
JANTXV2N5794A是微芯科技旗下的双极晶体管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供JANTXV2N5794A现货库存与价格报价查询。我们可为您提供JANTXV2N5794A datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 600mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-78-6 |
JANTXV2N5794A 微芯科技双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
JANTXV2N5794A 是由 微芯科技 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。NPN TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA、Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)。
JANTXV2N5794A 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（600mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-78-6 Metal Can） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
JANTXV2N5794A 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 微芯科技 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供JANTXV2N5794A价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 JANTXV2N5794A 的最新价格和交期信息。
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