CMLT5087EM TR PBFREE 中央半导体双极晶体管阵列
中央半导体 CMLT5087EM TR PBFREE 双极晶体管阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100µA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
CMLT5087EM TR PBFREE 中央半导体双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
CMLT5087EM TR PBFREE 是由 中央半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)。
CMLT5087EM TR PBFREE 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(300 @ 100µA, 5V)、Power - Max(350mW)、Frequency - Transition(100MHz)、Operating Temperature(-65°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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