规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V, 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA, 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
HBDM60V600X-7 德利通双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
HBDM60V600X-7 是由 德利通 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA。
HBDM60V600X-7 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（200mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-TSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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