
PBSS5160DS-QX Nexperia双极晶体管阵列
Nexperia PBSS5160DS-QX 双极晶体管阵列
PBSS5160DS-QX是Nexperia旗下的双极晶体管阵列 产品,深圳凌创辉电子有限公司提供PBSS5160DS-QX现货库存与价格报价查询。我们可为您提供PBSS5160DS-QX datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐,原装正品保障,支持批量采购与在线询价,发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 770mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 330mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 290mW |
| Frequency - Transition | 185MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
PBSS5160DS-QX Nexperia双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
PBSS5160DS-QX 是由 Nexperia 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。PBSS5160DS-Q/SOT457/SC-74。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 770mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
PBSS5160DS-QX 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(200 @ 1mA, 5V)、Power - Max(290mW)、Frequency - Transition(185MHz)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分,Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合,涵盖了二极管、双极晶体管、ESD(静电放电)保护器件、MOSFETs、GaN(氮化镓)FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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