
DST847BPDP6-7 德利通双极晶体管阵列
德利通 DST847BPDP6-7 双极晶体管阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 175MHz, 340MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
DST847BPDP6-7 德利通双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
DST847BPDP6-7 是由 德利通 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)。
DST847BPDP6-7 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(200 @ 2mA, 5V)、Power - Max(250mW)、Frequency - Transition(175MHz, 340MHz)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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