规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP Complementary |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 180MHz, 140MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
磐成 双极晶体管阵列 产品 IMZ1AS_S1_00001产品描述
IMZ1AS_S1_00001 是由 磐成 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP Complementary、Current - Collector (Ic) (Max): 150mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
IMZ1AS_S1_00001 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（120 @ 1mA, 6V）、Power - Max（300mW）、Frequency - Transition（180MHz, 140MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 磐成：PANJIT（磐成）作为一家全球性的集成器件制造商（IDM），凭借其深厚的技术积淀和前瞻性的发展战略，致力于为全球客户提供卓越的电子元器件解决方案。公司拥有丰富的产品线，涵盖了广泛的电子元件类型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二极管、前沿的碳化硅（SiC）器件、经典的双极结型晶体管（BJT）、整流桥等关键电子元器件。这些产品凭借其出色的性能和可靠的质量，广泛应用于各种严苛的电子设备之中。
IMZ1AS_S1_00001 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 磐成 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 IMZ1AS_S1_00001 的最新价格和交期信息。
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