DXTC3C100PDQ-13 德利通双极晶体管阵列
德利通 双极晶体管阵列 产品 DXTC3C100PDQ-13
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 1.47W |
| Frequency - Transition | 130MHz, 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
德利通 双极晶体管阵列 产品 DXTC3C100PDQ-13产品描述
DXTC3C100PDQ-13 是由 德利通 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。SS Low Sat Transistor PowerDI506。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
DXTC3C100PDQ-13 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V）、Power - Max（1.47W）、Frequency - Transition（130MHz, 100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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