规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 15V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA, 100nA |
| Frequency - Transition | 280MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PBLS1503V,115产品描述
PBLS1503V,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 15V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
PBLS1503V,115 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA, 100nA）、Frequency - Transition（280MHz）、Power - Max（300mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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