规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 1kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 330mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | PG-SC74-6-1 |
英飞凌科技 双极晶体管阵列，预偏置 产品 BCR523UE6327产品描述
BCR523UE6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 1kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
BCR523UE6327 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（100MHz）、Power - Max（330mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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