PBLS6005D,115 恩智浦半导体双极晶体管阵列，预偏置
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PBLS6005D,115
深圳凌创辉电子有限公司是恩智浦半导体代理商，专业供应PBLS6005D,115等双极晶体管阵列，预偏置 产品。我们提供PBLS6005D,115现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 60V |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA, 100nA |
| Frequency - Transition | 185MHz |
| Power - Max | 600mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PBLS6005D,115产品描述
PBLS6005D,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。NOW NEXPERIA PBLS6005D - SMALL S。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 700mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V、Resistor - Base (R1): 47kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
PBLS6005D,115 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA, 100nA）、Frequency - Transition（185MHz）、Power - Max（600mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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