规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Power - Max | 250mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
BCR08PN-AQ 泰迪半导体双极晶体管阵列，预偏置 - 规格参数与选型指南
BCR08PN-AQ 是由 泰迪半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。Digital Transistor, SOT-363, 50V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA。
BCR08PN-AQ 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（170MHz）、Power - Max（250mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-VSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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