规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | SMT6 |
IMH21T110 罗姆半导体双极晶体管阵列，预偏置 - 规格参数与选型指南
IMH21T110 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V。
IMH21T110 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（150MHz）、Power - Max（300mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
IMH21T110 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供IMH21T110价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 IMH21T110 的最新价格和交期信息。
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