规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PUMD12/L135产品描述
PUMD12/L135 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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PUMD12/L135常见问题
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PUMD12/L135适用于哪些应用场景？
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