NSVIMD10AMT1G 安森美双极晶体管阵列，预偏置

安森美 双极晶体管阵列，预偏置 产品 NSVIMD10AMT1G产品描述

NSVIMD10AMT1G 是由 安森美 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。SURF MT BIASED RES XSTR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。

NSVIMD10AMT1G 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 1mA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（285mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。

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