规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | SMT6 |
罗姆半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 IMB11AT110产品描述
IMB11AT110 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
IMB11AT110 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（300mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
IMB11AT110 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 IMB11AT110 的最新价格和交期信息。
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