规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
微电子元件公司 双极晶体管阵列，预偏置 产品 UMH2N-TP产品描述
UMH2N-TP 是由 微电子元件公司 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 47kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
UMH2N-TP 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（68 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（150mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
UMH2N-TP 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 微电子元件公司 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 UMH2N-TP 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是微电子元件公司代理商，专业供应UMH2N-TP等双极晶体管阵列，预偏置 产品。我们提供UMH2N-TP现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取UMH2N-TP的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
