
规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Frequency - Transition | 170MHz, 150MHz |
| Power - Max | 350mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
NHUMD10X Nexperia双极晶体管阵列,预偏置 - 规格参数与选型指南
NHUMD10X 是由 Nexperia 制造的 双极晶体管阵列,预偏置 类电子元器件。TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
NHUMD10X 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(100 @ 10mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(100mV @ 500µA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(100nA)、Frequency - Transition(170MHz, 150MHz)、Power - Max(350mW) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分,Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合,涵盖了二极管、双极晶体管、ESD(静电放电)保护器件、MOSFETs、GaN(氮化镓)FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
NHUMD10X 现货库存充足,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Nexperia 代理商和供应商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,来源可靠可追溯。我们提供NHUMD10X价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务,支持批量采购与在线询价。立即申请报价,获取 NHUMD10X 的最新价格和交期信息。
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