规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
泰迪半导体 单双极晶体管 产品 BC858C产品描述
BC858C 是由 泰迪半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。BJT SOT-23 30V 100MA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)。
BC858C 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（420 @ 2mA, 5V）、Power - Max（250 mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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