规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| Gain | 13dB ~ 15.5dB |
| Power - Max | 1.25W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF5812R1产品描述
MRF5812R1 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V、Frequency - Transition: 5GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz、Gain: 13dB ~ 15.5dB。
MRF5812R1 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（1.25W）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 50mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（200mA）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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