MRF555G 美高森美双极射频晶体管
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF555G
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
| Frequency - Transition | 470MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 12.5dB |
| Power - Max | 3W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF555G产品描述
MRF555G 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 16V 470MHZ。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V、Frequency - Transition: 470MHz、Gain: 12.5dB、Power - Max: 3W。
MRF555G 共有 8 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 100mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（500mA） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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