MRF4427GR1 美高森美双极射频晶体管
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF4427GR1
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如需获取MRF4427GR1的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 20dB |
| Power - Max | 1.5W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 10mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF4427GR1产品描述
MRF4427GR1 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 20V 8SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V、Gain: 20dB、Power - Max: 1.5W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V。
MRF4427GR1 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（400mA）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（8-SO） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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