规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6.1V |
| Frequency - Transition | 900MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz |
| Gain | 27dB |
| Power - Max | 600mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 90mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4-1 |
英飞凌科技 双极射频晶体管 产品 BFP780H6327XTSA1产品描述
BFP780H6327XTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V、Frequency - Transition: 900MHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz、Gain: 27dB。
BFP780H6327XTSA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（600mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（85 @ 90mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（120mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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