规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gain | 25dB |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | UB |
美高森美 双极射频晶体管 产品 JAN2N4957UB产品描述
JAN2N4957UB 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS PNP 30V 30MA UB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz、Gain: 25dB、Power - Max: 200mW。
JAN2N4957UB 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 10V）、Current - Collector (Ic) (Max)（30mA）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（3-SMD, No Lead） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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