MRF586G 美高森美双极射频晶体管
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF586G
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 17V |
| Frequency - Transition | 3GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 13.5dB |
| Power - Max | 1W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-39 |
美高森美 双极射频晶体管 产品 MRF586G产品描述
MRF586G 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V、Frequency - Transition: 3GHz、Gain: 13.5dB、Power - Max: 1W。
MRF586G 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（40 @ 50mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（200mA）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-205AD, TO-39-3 Metal Can）、Supplier Device Package（TO-39） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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