规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Frequency - Transition | 1.03GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 8.9dB |
| Power - Max | 8750W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 55TU-1 |
| Supplier Device Package | 55TU-1 |
美高森美 双极射频晶体管 产品 MDS1100产品描述
MDS1100 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V、Frequency - Transition: 1.03GHz、Gain: 8.9dB、Power - Max: 8750W。
MDS1100 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（20 @ 5A, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（100A）、Operating Temperature（200°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（55TU-1） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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