规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Frequency - Transition | 470MHz ~ 860MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 8.5dB ~ 9.5dB |
| Power - Max | 290W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | 55RT |
| Supplier Device Package | 55RT |
UTV8100B 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
UTV8100B 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz、Gain: 8.5dB ~ 9.5dB、Power - Max: 290W。
UTV8100B 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（20 @ 1A, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（15A）、Operating Temperature（200°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（55RT） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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