规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Gain | - |
| Power - Max | 500mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.5mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343 Reverse Pinning |
| Supplier Device Package | 4-SO |
BFG25AW/X,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFG25AW/X,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V、Frequency - Transition: 5GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz、Power - Max: 500mW。
BFG25AW/X,115 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 500µA, 1V）、Current - Collector (Ic) (Max)（6.5mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-343 Reverse Pinning） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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