规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 11dB ~ 12.5dB |
| Power - Max | 3W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Power Macro |
| Supplier Device Package | Power Macro |
MRF555T 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
MRF555T 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 16V POWER MACRO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V、Gain: 11dB ~ 12.5dB、Power - Max: 3W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V。
MRF555T 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（500mA）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Power Macro）、Supplier Device Package（Power Macro） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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