规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Gain | 23dB |
| Power - Max | 135mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343 Reverse Pinning |
| Supplier Device Package | 4-SO |
BFG424F,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFG424F,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V、Frequency - Transition: 25GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz、Gain: 23dB。
BFG424F,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（135mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 25mA, 2V）、Current - Collector (Ic) (Max)（30mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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