
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Gain | - |
| Power - Max | 300mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 30mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SC-70 |
BFT93W,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFT93W,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 4GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz、Power - Max: 300mW。
BFT93W,115 共有 12 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(20 @ 30mA, 5V)、Current - Collector (Ic) (Max)(50mA)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SC-70, SOT-323) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体:**恩智浦半导体(NXP Semiconductors):连接未来,驱动智能世界**
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