规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
| Frequency - Transition | 14GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 2GHz |
| Gain | 18.3dB |
| Power - Max | 210mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 3V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Supplier Device Package | CMPAK-4 |
恩智浦半导体 双极射频晶体管 产品 BFG325W/XR,115产品描述
BFG325W/XR,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V、Frequency - Transition: 14GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz、Gain: 18.3dB。
BFG325W/XR,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（210mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 15mA, 3V）、Current - Collector (Ic) (Max)（35mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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