规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 900MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 150mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SC-73 |
恩智浦半导体 双极射频晶体管 产品 BLT80,115产品描述
BLT80,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V、Frequency - Transition: 900MHz、Power - Max: 2W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V。
BLT80,115 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（250mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-261-4, TO-261AA）、Supplier Device Package（SC-73） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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