2SD1963T100Q 罗姆半导体单双极晶体管
罗姆半导体 2SD1963T100Q 单双极晶体管
2SD1963T100Q是罗姆半导体旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供2SD1963T100Q现货库存与价格报价查询。我们可为您提供2SD1963T100Q datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 25mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 500 mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Supplier Device Package | MPT3 |
2SD1963T100Q 罗姆半导体单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
2SD1963T100Q 是由 罗姆半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS GP BJT NPN 20V 3A 4-PIN(3+。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 3 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA、Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)。
2SD1963T100Q 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（180 @ 2mA, 6V）、Power - Max（500 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-243AA） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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