
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Power - Max | 60 W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
BU807 中央半导体单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
BU807 是由 中央半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN DARL 150V 8A TO220-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A、Current - Collector Cutoff (Max): 100µA。
BU807 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(60 W)、Operating Temperature(-65°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-220-3)、Supplier Device Package(TO-220-3) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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