DXT5616U 德利通单双极晶体管
德利通 DXT5616U 单双极晶体管
DXT5616U是德利通旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供DXT5616U现货库存与价格报价查询。我们可为您提供DXT5616U datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Supplier Device Package | TO-126 |
DXT5616U 德利通单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
DXT5616U 是由 德利通 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 80V 1A TO126。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
DXT5616U 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 150mA, 2V）、Power - Max（1.3 W）、Frequency - Transition（150MHz）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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