PN2222-H-AP 微电子元件公司单双极晶体管
微电子元件公司 PN2222-H-AP 单双极晶体管
PN2222-H-AP是微电子元件公司旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供PN2222-H-AP现货库存与价格报价查询。我们可为您提供PN2222-H-AP datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 10V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92 |
PN2222-H-AP 微电子元件公司单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
PN2222-H-AP 是由 微电子元件公司 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 30V 0.6A TO92。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
PN2222-H-AP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（200 @ 1mA, 10V）、Power - Max（625 mW）、Frequency - Transition（300MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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