BUL770-S 邦士电子单双极晶体管
邦士电子 BUL770-S 单双极晶体管
BUL770-S是邦士电子旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BUL770-S现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BUL770-S datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.5 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 160mA, 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7 @ 800mA, 1V |
| Power - Max | 50 W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
BUL770-S 邦士电子单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
BUL770-S 是由 邦士电子 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 400V 2.5A TO220。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 160mA, 800mA、Current - Collector Cutoff (Max): 10µA。
BUL770-S 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（7 @ 800mA, 1V）、Power - Max（50 W）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-3）、Supplier Device Package（TO-220） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 邦士电子：自1947年由Marlan和Rosemary Bourns创立以来，Bourns公司一直是电子行业在电子元件和集成解决方案的设计、制造和销售领域的领导者。作为行业创新者，Bourns将产品开发瞄准高增长行业，如计算机、电信、汽车和便携式电子产品。
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